Источники сообщают, что Samsung будет использовать технологию производства чипов, которую предпочитает SK Hynix, поскольку гонка за искусственным интеллектом накаляется

Samsung Electronics планирует использовать технологию изготовления чипов, поддерживаемую соперник СК Hynix– заявили пять человек, поскольку ведущий в мире производитель чипов памяти стремится догнать гонку по производству высококачественных чипов, используемых для поддержки искусственного интеллекта (ИИ).

Спрос на чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) резко возрос вместе с растущей популярностью генеративного искусственного интеллекта. Но Samsung, в отличие от своих конкурентов SK Hynix и Micron Technology, бросается в глаза отсутствием каких-либо сделок с лидером в области AI-чипов Nvidia о поставках новейших чипов HBM.

Одной из причин отставания Samsung является ее решение придерживаться технологии изготовления чипов, называемой непроводящей пленкой (NCF), которая вызывает некоторые производственные проблемы, в то время как Hynix перешла на метод массового формования оплавлением (MR-MUF), чтобы устранить слабость NCF. По мнению аналитиков и обозревателей отрасли.

Однако Samsung недавно разместила заказы на поставку оборудования для производства чипов, предназначенного для работы с технологией MUF, сообщили три источника, непосредственно знакомых с этим вопросом.

02:18

От K-pop до продавщиц: искусственный интеллект становится мейнстримом в Южной Корее

От K-pop до продавщиц: искусственный интеллект становится мейнстримом в Южной Корее

«Samsung пришлось что-то сделать, чтобы увеличить объемы производства HBM… внедрение технологии MUF — это своего рода попытка проглотить свою гордость для Samsung, потому что в конечном итоге она последовала методу, впервые использованному SK Hynix», — один из сообщили источники.

По мнению ряда аналитиков, доходность производства чипов HBM3 компании Samsung составляет около 10-20 процентов, в то время как SK Hynix обеспечила уровень доходности производства HBM3 около 60-70 процентов.

HBM3 и HBM3E, новейшие версии чипов HBM, пользуются большим спросом. Они оснащены основными микропроцессорными чипами, помогающими обрабатывать огромные объемы данных с помощью генеративного искусственного интеллекта.

Samsung также ведет переговоры с производителями материалов, в том числе с японской Nagase, о выборе материалов MUF, сообщил один источник, добавив, что массовое производство высокопроизводительных чипов с использованием MUF вряд ли будет готово самое раннее до следующего года, поскольку Samsung необходимо запустить больше тестов.

Три источника также сообщили, что Samsung планирует использовать методы NCF и MUF для своего последнего чипа HBM.

В Samsung заявили, что разработанная ею технология NCF является «оптимальным решением» для продуктов HBM и будет использоваться в новых чипах HBM3E. «Мы ведем наш бизнес по производству продуктов HBM3E, как и планировалось», — говорится в заявлении Samsung.

Nvidia и Nagase отказались от комментариев.

Все источники говорили на условиях анонимности, поскольку информация не является публичной.

План Samsung по использованию MUF подчеркивает растущее давление, с которым компания сталкивается в гонке за чипами для искусственного интеллекта: рынок чипов HBM, по данным исследовательской компании TrendForce, в этом году увеличился более чем вдвое и составил почти 9 миллиардов долларов США на фоне спроса, связанного с искусственным интеллектом.

Дисплей SK Hynix можно увидеть на выставке Korea Electronics Show в Сеуле, Южная Корея, в 2019 году. Фото: AP Photo

NCF ПРОТИВ MUF

Технология производства микросхем из непроводящей пленки широко используется производителями микросхем для укладки нескольких слоев микросхем в компактный набор микросхем памяти с высокой пропускной способностью, поскольку использование термически сжатой тонкой пленки помогает минимизировать пространство между сложенными микросхемами.

Но часто возникают проблемы, связанные с клеящими материалами, поскольку производство усложняется по мере добавления большего количества слоев. Samsung заявляет, что ее последний чип HBM3E имеет 12 слоев. Производители чипов искали альтернативы для устранения таких недостатков.

SK Hynix успешно перешла на технологию массового литья под заливку оплавлением, опередив других, став первым поставщиком, поставившим чипы HBM3 для Nvidia.

По словам Джеффа Кима, аналитика KB Securities, в этом году доля SK Hynix на рынке HBM3 и более продвинутых продуктов HBM для Nvidia оценивается в более чем 80 процентов.

Мастерство ИИ-чипов Huawei находится под пристальным вниманием после того, как Nvidia называет их вероятным конкурентом

В прошлом месяце Micron присоединилась к гонке чипов памяти с высокой пропускной способностью, объявив, что ее последний чип HBM3E будет принят Nvidia для питания чипов H200 Tensor, поставки которых начнутся во втором квартале.

По словам одного из четырех источников и другого человека, знакомого с ходом обсуждения, серия HBM3 от Samsung еще не прошла квалификацию Nvidia для заключения сделок на поставку.

Инвесторы также заметили ее неудачу в гонке за чипами искусственного интеллекта: в этом году ее акции упали на 7 процентов, отставая от SK Hynix и Micron, акции которых выросли на 17 процентов и 14 процентов соответственно.

Перейти к эмитенту новости